Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > 2SK0665G0L
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
54404222SK0665G0L 이미지Panasonic

2SK0665G0L

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    2SK0665G0L
  • 제조업체 / 브랜드
    Panasonic
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    2SK0665G0L.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.5V @ 100µA
  • Vgs (최대)
    8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SMini3-F2
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    50 Ohm @ 20mA, 5V
  • 전력 소비 (최대)
    150mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-85
  • 다른 이름들
    2SK0665G0LTR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    N-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SMini3-F2
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    100mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일

AMD는 방갈로르 디자인 센터의 두 번째 단계 건설을 시작합니다.

2024년11월26일
배송
지불
다음은 "2SK0665G0L"관련 제품입니다.
2SK01980RL

2SK01980RL

기술: JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK11030QL

2SK11030QL

기술: JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK122800L

2SK122800L

기술: MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK1340-E

2SK1340-E

기술: MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
2SK1317-E

2SK1317-E

기술: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
2SK1058-E

2SK1058-E

기술: MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
2SK06620RL

2SK06620RL

기술: JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK06630RL

2SK06630RL

기술: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK1119(F)

2SK1119(F)

기술: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
2SK0664G0L

2SK0664G0L

기술: MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK060100L

2SK060100L

기술: MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK1342-E

2SK1342-E

기술: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
2SK066500L

2SK066500L

기술: MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK1341-E

2SK1341-E

기술: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
2SK066400L

2SK066400L

기술: MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK137400L

2SK137400L

기술: MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK0663GRL

2SK0663GRL

기술: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK0615

2SK0615

기술: MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK0601G0L

2SK0601G0L

기술: MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
2SK1339-E

2SK1339-E

기술: MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.