Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > MTM232270LBF
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1237318MTM232270LBF 이미지Panasonic

MTM232270LBF

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
3000+
$0.127
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    MTM232270LBF
  • 제조업체 / 브랜드
    Panasonic
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N CH 20V 2A SMINI3-G1-B
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MTM232270LBF.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.3V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±10V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SMini3-G1-B
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    110 mOhm @ 1A, 4V
  • 전력 소비 (최대)
    500mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-70, SOT-323
  • 다른 이름들
    MTM232270LBFTR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    11 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    290pF @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    2.5V, 4V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    N-Channel 20V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SMini3-G1-B
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    2A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일

AMD는 방갈로르 디자인 센터의 두 번째 단계 건설을 시작합니다.

2024년11월26일
배송
지불
다음은 "MTM232270LBF"관련 제품입니다.
MTM761100LBF

MTM761100LBF

기술: MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM106DPC

MTM106DPC

기술: SWITCH TOGGLE SPDT 6A 125V

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity
유품
RFQ
MTM761110LBF

MTM761110LBF

기술: MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM231100L

MTM231100L

기술: MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM684100LBF

MTM684100LBF

기술: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM8106DRA

MTM8106DRA

기술: SWITCH TOGGLE SPDT 6A 125V

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity
유품
RFQ
MTM1H25-C

MTM1H25-C

기술: TIE MOUNTING STL 1HOLE .25" SCR

제조업체: Panduit
유품
RFQ
MTM1H-C

MTM1H-C

기술: TIE MOUNTING STL 1HOLE #8 SCR

제조업체: Panduit
유품
RFQ
MTM1H10-C

MTM1H10-C

기술: TIE MOUNTING 1 HOLE #8 SCREW

제조업체: Panduit
유품
RFQ
MTM231230L

MTM231230L

기술: MOSFET P-CH 20V 3A SMINI-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM2H-Q

MTM2H-Q

기술: TIE MOUNTING STL 2HOLE #8 SCR

제조업체: Panduit
유품
RFQ
MTM761230LBF

MTM761230LBF

기술: MOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM78E2B0LBF

MTM78E2B0LBF

기술: MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM684110LBF

MTM684110LBF

기술: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM232230L

MTM232230L

기술: MOSFET N-CH 20V 4.5A SMINI-3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM231232LBF

MTM231232LBF

기술: MOSFET P-CH 20V 3A

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM763250LBF

MTM763250LBF

기술: MOSFET N/P-CH 20V 1.7A/1A 6-SMD

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM763200LBF

MTM763200LBF

기술: MOSFET N/P-CH 20V WSMINI6-F1

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM131270BBF

MTM131270BBF

기술: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
MTM232230LBF

MTM232230LBF

기술: MOSFET N CH 20V 4.5A SMINI3-G1-B

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.