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SK8603170L

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유품

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규격

제품 모델

SK8603170L
제조업체 / 브랜드

Panasonic
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 30V 20A 8HSO
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

SK8603170L.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

3V @ 2.56mA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

HSO8-F4-B
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

4.1 mOhm @ 14A, 10V
전력 소비 (최대)

2.8W (Ta), 24W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads
다른 이름들

P16269TR
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

13 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2940pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

N-Channel 30V 20A (Ta), 59A (Tc) 2.8W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount HSO8-F4-B
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta), 59A (Tc)

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기술: DIODE SCHOTTKY 8A 60V DO-214AB

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기술: DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO214AB

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기술: DIODE SCHOTTKY 50V 8A DO214AB

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기술: DIODE SCHOTTKY 50V 8A DO214AB

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