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UNR411L00A

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규격
  • 제품 모델
    UNR411L00A
  • 제조업체 / 브랜드
    Panasonic
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    UNR411L00A.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    250mV @ 300µA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    PNP - Pre-Biased
  • 제조업체 장치 패키지
    NS-B1
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    4.7 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    4.7 kOhms
  • 전력 - 최대
    300mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    NS-B1
  • 다른 이름들
    UN411L-(TA)
    UNR411L00ATB
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 주파수 - 전환
    80MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    20 @ 5mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA

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기술: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

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기술: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

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기술: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

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기술: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

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