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XP0611300L

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  • 제품 모델
    XP0611300L
  • 제조업체 / 브랜드
    Panasonic
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    XP0611300L.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    250mV @ 300µA, 10mA
  • 트랜지스터 유형
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 제조업체 장치 패키지
    SMINI6-G1
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    47 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    47 kOhms
  • 전력 - 최대
    150mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 다른 이름들
    XP0611300LTR
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    80MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    80 @ 5mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA

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기술: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

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기술: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

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기술: TRANS 2PNP 20V 0.03A SMINI6

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기술: TRANS 2NPN 20V 0.2A SMINI6

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기술: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

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기술: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

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기술: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

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기술: TRANS NPN/PNP 40V/15V SMINI6

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기술: TRANS 2NPN 100V 0.02A SMINI6

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기술: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

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기술: TRANS 2NPN 40V 0.1A SMINI6

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기술: TRANS 2PNP 50V 0.1A SMINI6

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기술: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6

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기술: TRANS 2NPN 10V 0.05A SMINI6S

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기술: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

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기술: TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI6

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기술: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A S-MINI-6P

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기술: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

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