SID1112K-TL

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제품 모델

SID1112K-TL
제조업체 / 브랜드

Power Integrations
재고 수량

유품
기술

DGTL ISO GATE DRVR
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

SID1112K-TL.pdf
전압 - 공급

4.75 V ~ 5.25 V
전압 - 분리

5000Vrms
전압 - 순방향 (Vf) (일반)

-
과학 기술

Magnetic Coupling
제조업체 장치 패키지

eSOP-R16B
연속

SCALE-iDriver™
상승 / 하강 시간 (일반)

1125ns (Max), 1125ns (Max)
펄스 폭 왜곡 (최대)

-
전달 지연 tpLH / tpHL (최대)

340ns, 330ns
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
다른 이름들

1810-1096-1
작동 온도

-40°C ~ 125°C
채널 수

1
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
제조업체 표준 리드 타임

16 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

1A Gate Driver Magnetic Coupling 5000Vrms 1 Channel eSOP-R16B
전류 - 피크 출력

1A
전류 - 출력 고, 저

480mA, 520mA
공통 모드 과도 내성 (최소)

50kV/µs (Typ)
승인

VDE

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기술: DGTL ISO GATE DRVR

제조업체: Power Integrations

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기술: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

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기술: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

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기술: DGTL ISO GATE DRVR

제조업체: Power Integrations

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기술: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

제조업체: Power Integrations

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기술: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

제조업체: Power Integrations

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기술: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

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기술: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

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기술: DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP

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기술: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

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