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R6020635ESYA

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유품
30+
$56.102
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    R6020635ESYA
  • 제조업체 / 브랜드
    Powerex, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    R6020635ESYA.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.5V @ 800A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-205AB, DO-9
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    2µs
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • 작동 온도 - 정션
    -45°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Chassis, Stud Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    50mA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    350A
  • VR, F @ 용량
    -

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R6020225HSYA

R6020225HSYA

기술: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6020835ESYA

R6020835ESYA

기술: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6020ENJTL

R6020ENJTL

기술: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

제조업체: Rohm Semiconductor
유품
RFQ
R6020222PSYA

R6020222PSYA

기술: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6020ANJTL

R6020ANJTL

기술: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6020ENZC8

R6020ENZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6020822PSYA

R6020822PSYA

기술: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R60200-3CR

R60200-3CR

기술: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R6020825HSYA

R6020825HSYA

기술: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6020425HSYA

R6020425HSYA

기술: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6020235ESYA

R6020235ESYA

기술: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6020422PSYA

R6020422PSYA

기술: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R60200-1STRM

R60200-1STRM

기술: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R6020622PSYA

R6020622PSYA

기술: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6020625HSYA

R6020625HSYA

기술: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6020435ESYA

R6020435ESYA

기술: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6020ANZC8

R6020ANZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
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