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6190545HAT2165H-EL-E 이미지Renesas Electronics America

HAT2165H-EL-E

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유품
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$1.413
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규격
  • 제품 모델
    HAT2165H-EL-E
  • 제조업체 / 브랜드
    Renesas Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    HAT2165H-EL-E.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    LFPAK
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    3.3 mOhm @ 27.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    30W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-100, SOT-669
  • 다른 이름들
    HAT2165H-EL-E-ND
    HAT2165H-EL-ETR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    5180pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    33nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 55A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    55A (Ta)

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제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
HAT2164H-EL-E

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기술: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
HAT2116H-EL-E

HAT2116H-EL-E

기술: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
HAT2171H-EL-E

HAT2171H-EL-E

기술: MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
HAT2096H-EL-E

HAT2096H-EL-E

기술: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
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유품
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HAT2173H-EL-E

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제조업체: Renesas Electronics America
유품
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기술: MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
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기술: MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK

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제조업체: Renesas Electronics America
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기술: MOSFET N-CH 30V 40A 5LFPAK

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기술: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

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기술: MICROCONTROLLER

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HAT2131R-EL-E

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제조업체: Renesas Electronics America
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