Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > NP110N055PUG-E1-AY
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3849514NP110N055PUG-E1-AY 이미지Renesas Electronics America

NP110N055PUG-E1-AY

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    NP110N055PUG-E1-AY
  • 제조업체 / 브랜드
    Renesas Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    NP110N055PUG-E1-AY.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-263
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.4 mOhm @ 55A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.8W (Ta), 288W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 작동 온도
    175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    25700pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    380nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    55V
  • 상세 설명
    N-Channel 55V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 288W (Tc) Surface Mount TO-263
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    110A (Tc)

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

2024년10월28일

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

2024년10월7일
배송
지불
다음은 "NP110N055PUG-E1-AY"관련 제품입니다.
NP1100SCMCT3G

NP1100SCMCT3G

기술: THYRISTOR 90V 400A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NP1300SCMCT3G

NP1300SCMCT3G

기술: THYRISTOR 120V 400A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NP1300SAT3G

NP1300SAT3G

기술: THYRISTOR 120V 50A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NP110N04PUK-E1-AY

NP110N04PUK-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP1111510000G

NP1111510000G

기술: 1000 TB SPR CLA 180D B/T

제조업체: Anytek (Amphenol Anytek)
유품
RFQ
NP1100SCT3G

NP1100SCT3G

기술: THYRISTOR 90V 100A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NP110N055PUK-E1-AY

NP110N055PUK-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP1300SBT3G

NP1300SBT3G

기술: THYRISTOR 120V 80A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NP1100SAT3G

NP1100SAT3G

기술: THYRISTOR 90V 50A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NP110N03PUG-E1-AY

NP110N03PUG-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP1300SCT3G

NP1300SCT3G

기술: THYRISTOR 120V 100A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NP110N04PUG-E1-AY

NP110N04PUG-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP110N055PUG(1)-E1-AY

NP110N055PUG(1)-E1-AY

기술: TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP1300SAMCT3G

NP1300SAMCT3G

기술: THYRISTOR 120V 150A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NP110N055PUJ-E1B-AY

NP110N055PUJ-E1B-AY

기술: TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP1100SAMCT3G

NP1100SAMCT3G

기술: THYRISTOR 90V 150A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NP1100SBT3G

NP1100SBT3G

기술: THYRISTOR 90V 80A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NP1211510000G

NP1211510000G

기술: 1000 TB SPR CLA 180D B/T

제조업체: Anytek (Amphenol Anytek)
유품
RFQ
NP1100SBMCT3G

NP1100SBMCT3G

기술: THYRISTOR 90V 250A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NP1300SBMCT3G

NP1300SBMCT3G

기술: THYRISTOR 120V 250A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.