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NP90N04NUK-S18-AY

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규격
  • 제품 모델
    NP90N04NUK-S18-AY
  • 제조업체 / 브랜드
    Renesas Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    NP90N04NUK-S18-AY.pdf
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-262
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.8 mOhm @ 45A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.8W (Ta), 176W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-262-3 Full Pack, I²Pak
  • 작동 온도
    175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    7050pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
  • 상세 설명
    N-Channel 40V 90A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Through Hole TO-262
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    90A (Tc)

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BUK9618-55A,118

BUK9618-55A,118

기술: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
RFQ
NP90N04VUG-E1-AY

NP90N04VUG-E1-AY

기술: MOSFET N-CH TO-252

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
PHP112N06T,127

PHP112N06T,127

기술: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
RFQ
IRFS4127PBF

IRFS4127PBF

기술: MOSFET N-CH 200V 72A D2-PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
NP90N04MUG-S18-AY

NP90N04MUG-S18-AY

기술: MOSFET N-CH 40V 90A TO-263

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP90N03VLG-E1-AY

NP90N03VLG-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP90N04MUK-S18-AY

NP90N04MUK-S18-AY

기술: MOSFET N-CH 40V 90A TO-220

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
FCP650N80Z

FCP650N80Z

기술: MOSFET N-CH 800V 10A

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
NP90N04VUK-E1-AY

NP90N04VUK-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 40V 90A TO-220

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
EPC2033

EPC2033

기술: TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE

제조업체: EPC
유품
RFQ
FDC655BN_NBNN007

FDC655BN_NBNN007

기술: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
IRFL024Z

IRFL024Z

기술: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
NP90N055NUK-S18-AY

NP90N055NUK-S18-AY

기술: MOSFET N-CH 55V 90A TO-220

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP90N06VLG-E1-AY

NP90N06VLG-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 60V 90A TO-252

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
IRF5210L

IRF5210L

기술: MOSFET P-CH 100V 40A TO-262

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
NP90N055VUK-E1-AY

NP90N055VUK-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 55V 90A TO-220

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP90N055MUK-S18-AY

NP90N055MUK-S18-AY

기술: MOSFET N-CH 55V 90A TO-220

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
NP90N03VHG-E1-AY

NP90N03VHG-E1-AY

기술: MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
IXTP3N110

IXTP3N110

기술: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
NP95N03ZUGP-E1

NP95N03ZUGP-E1

기술: TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
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