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R1LV0108ESF-5SI#B1

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규격
  • 제품 모델
    R1LV0108ESF-5SI#B1
  • 제조업체 / 브랜드
    Renesas Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    R1LV0108ESF-5SI#B1.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    55ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    32-TSOP (8x20)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 55ns 32-TSOP (8x20)
  • 액세스 시간
    55ns

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기술: IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP

제조업체: Renesas Electronics America
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R1LV0108ESF-7SR#B0

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

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기술: IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

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기술: IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

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