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R1WV6416RSA-5SI#S0

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규격
  • 제품 모델
    R1WV6416RSA-5SI#S0
  • 제조업체 / 브랜드
    Renesas Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    64M ADV LPSRAM, STACKED, TSOP, P
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    R1WV6416RSA-5SI#S0.pdf
  • ECAD 모델
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    55ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    48-TSOP I
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 다른 이름들
    R1WV6416RSA-5SI#S0TR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 55ns 48-TSOP I
  • 액세스 시간
    55ns

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70V24L35J8

70V24L35J8

기술: IC SRAM 64K PARALLEL 84PLCC

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
R1WV6416RBG-5SI#S0

R1WV6416RBG-5SI#S0

기술: 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
S29GL256S10DHI020

S29GL256S10DHI020

기술: IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
R1WV6416RSA-7SR#B0

R1WV6416RSA-7SR#B0

기술: IC SRAM 64M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
MT48LC8M16A2P-7E:L TR

MT48LC8M16A2P-7E:L TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
7025L15J8

7025L15J8

기술: IC SRAM 128K PARALLEL 84PLCC

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
STK14C88-NF25TR

STK14C88-NF25TR

기술: IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
R1WV3216RBG-7SR#B0

R1WV3216RBG-7SR#B0

기술: IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
7133SA55J8

7133SA55J8

기술: IC SRAM 32K PARALLEL 68PLCC

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
S29GL512T10FAI010

S29GL512T10FAI010

기술: IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
R1WV6416RSD-5SI#B0

R1WV6416RSD-5SI#B0

기술: 64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP,

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
R1WV3216RBG-7SI#S0

R1WV3216RBG-7SI#S0

기술: IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
R1WV6416RSA-5SI#B0

R1WV6416RSA-5SI#B0

기술: IC SRAM 32MBIT 48TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
R1WV6416RSD-5SI#S0

R1WV6416RSD-5SI#S0

기술: 64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP,

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
AS4C64M16MD2A-25BCNTR

AS4C64M16MD2A-25BCNTR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
유품
RFQ
R1WV6416RBG-5SI#B0

R1WV6416RBG-5SI#B0

기술: 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
S25FL064LABMFA010

S25FL064LABMFA010

기술: IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SOIC

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
24AA02/P

24AA02/P

기술: IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8DIP

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품
RFQ
AT24C128Y1-10YI-1.8

AT24C128Y1-10YI-1.8

기술: IC EEPROM 128K I2C 400KHZ 8MAP

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품
RFQ
R1WV3216RBG-7SI#B0

R1WV3216RBG-7SI#B0

기술: IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
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