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RMLV0816BGBG-4S2#AC0

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규격
  • 제품 모델
    RMLV0816BGBG-4S2#AC0
  • 제조업체 / 브랜드
    Renesas Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RMLV0816BGBG-4S2#AC0.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    45ns
  • 전압 - 공급
    2.4 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    48-TFBGA (7.5x8.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    48-TFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    8Mb (512K x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 45ns 48-TFBGA (7.5x8.5)
  • 액세스 시간
    45ns

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RMLV0816BGSD-4S2#HC0

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기술: IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RMLV0416EGSB-4S2#AA1

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기술: IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
유품
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RMLV0416EGBG-4S2#AC0

RMLV0416EGBG-4S2#AC0

기술: IC SRAM 4MBIT 45NS 48FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RMLV1616AGBG-5S2#AC0

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기술: IC SRAM 16M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RMLV0808BGSB-4S2#HA0

RMLV0808BGSB-4S2#HA0

기술: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
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RFQ
RMLV0816BGSB-4S2#HA0

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기술: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

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RMLV0816BGSB-4S2#AA0

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기술: IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP

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RMLV0816BGSA-4S2#AA0

RMLV0816BGSA-4S2#AA0

기술: IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

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RMLV0808BGBG-4S2#KC0

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기술: IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

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RMLV1616AGBG-5S2#KC0

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기술: IC SRAM 16M PARALLEL 48FBGA

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RMLV0816BGBG-4S2#KC0

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기술: IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

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RMLV0808BGSB-4S2#AA0

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기술: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

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RMLV0416EGSB-4S2#AA0

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

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RMLV0816BGSD-4S2#AC0

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기술: IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP

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기술: IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP

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RMLV1616AGSA-5S2#AA0

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기술: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP

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