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UPA2821T1L-E1-AT

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  • 제품 모델
    UPA2821T1L-E1-AT
  • 제조업체 / 브랜드
    Renesas Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    UPA2821T1L-E1-AT.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    -
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-HWSON (3.3x3.3)
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    3.8 mOhm @ 26A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.5W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerWDFN
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2490pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 26A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    26A (Tc)

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UPA800T-A

UPA800T-A

기술: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

제조업체: CEL (California Eastern Laboratories)
유품
RFQ
UPA2816T1S-E2-AT

UPA2816T1S-E2-AT

기술: MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA2814T1S-E2-AT

UPA2814T1S-E2-AT

기술: MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA802T-A

UPA802T-A

기술: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

제조업체: CEL (California Eastern Laboratories)
유품
RFQ
UPA801T-A

UPA801T-A

기술: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

제조업체: CEL (California Eastern Laboratories)
유품
RFQ
UPA2822T1L-E1-AT

UPA2822T1L-E1-AT

기술: MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA2820T1S-E2-AT

UPA2820T1S-E2-AT

기술: MOSFET N-CH 30V 8HVSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA2793GR(01)-E2-AY

UPA2793GR(01)-E2-AY

기술: TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA800T-T1

UPA800T-T1

기술: TRANS NPN HF FT=8GHZ SOT-363

제조업체: CEL (California Eastern Laboratories)
유품
RFQ
UPA801T-T1-A

UPA801T-T1-A

기술: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

제조업체: CEL (California Eastern Laboratories)
유품
RFQ
UPA2813T1L-E1-AT

UPA2813T1L-E1-AT

기술: MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA2794GR(0)-E1-AZ

UPA2794GR(0)-E1-AZ

기술: TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA2825T1S-E2-AT

UPA2825T1S-E2-AT

기술: MOSFET N-CH 30V 8HVSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA3753GR-E1-AT

UPA3753GR-E1-AT

기술: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA2812T1L-E2-AT

UPA2812T1L-E2-AT

기술: MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA2813T1L-E2-AT

UPA2813T1L-E2-AT

기술: MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA672T-T1-A

UPA672T-T1-A

기술: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-88

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA2815T1S-E2-AT

UPA2815T1S-E2-AT

기술: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
UPA800T-T1-A

UPA800T-T1-A

기술: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

제조업체: CEL (California Eastern Laboratories)
유품
RFQ
UPA2812T1L-E1-AT

UPA2812T1L-E1-AT

기술: MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
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