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HSE18-G4A1BA

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유품
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규격
  • 제품 모델
    HSE18-G4A1BA
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    SEN PHT PNP LO ALM M12 IR BG
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 전압 - 공급
    10 V ~ 30 V
  • 연속
    SureSense
  • 감지 방법
    Through-Beam
  • 감지 거리
    787.402" (20m)
  • 응답 시간
    500µs
  • 출력 구성
    PNP
  • 다른 이름들
    1071955
  • 작동 온도
    -40°C ~ 70°C (TA)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    3 Weeks
  • 광원
    Infrared (880nm)
  • 침투 보호
    IP67
  • 연결 방법
    Connector, M12
  • 케이블 길이
    -
  • 조정 유형
    -
HSE18-M5B1AB

HSE18-M5B1AB

기술: SEN PHT TB MOSFET MICRO 4 PIN

제조업체: SICK
유품
HSE18-B4A1AA

HSE18-B4A1AA

기술: SEN PHT PNP/NPN LO M12 IR

제조업체: SICK
유품
HSE18-F4A2BG

HSE18-F4A2BG

기술: P/P LO/DO M12 RED BG POT

제조업체: SICK
유품
HSE18-M1G2AA

HSE18-M1G2AA

기술: AC DO CBL RED

제조업체: SICK
유품
HSE18-G4A1BC

HSE18-G4A1BC

기술: SEN PHT PNP LO ALM M12 IR BG OND

제조업체: SICK
유품
HSE18-B4A2AA

HSE18-B4A2AA

기술: SEN PHT PNP/NPN LO M12 RED

제조업체: SICK
유품
HSE18-L5B1AA

HSE18-L5B1AA

기술: AC LO MICRO IR

제조업체: SICK
유품
HSE18-F4A1BG

HSE18-F4A1BG

기술: P/P LO/DO M12 IR BG POT O

제조업체: SICK
유품
HSE18-B4A2BA

HSE18-B4A2BA

기술: SEN PHT TB PNP/NPN 20M LO M12

제조업체: SICK
유품
HSE18-L5B2AA

HSE18-L5B2AA

기술: SEN PHT TB MOSFET MICRO 4 PIN

제조업체: SICK
유품
HSE18-B1G2AA

HSE18-B1G2AA

기술: SEN PHT PNP/NPN LO CBL RED

제조업체: SICK
유품
HSE18-P1G1BA

HSE18-P1G1BA

기술: SEN PHT PNP LO/DO CBL IR BG

제조업체: SICK
유품
HSE18-M5B2AA

HSE18-M5B2AA

기술: AC DO MICRO RED

제조업체: SICK
유품
HSE18-F4B1BA

HSE18-F4B1BA

기술: SEN PHT TB PUSH/PULL LO/DO M12

제조업체: SICK
유품
HSE18-G4A1BI

HSE18-G4A1BI

기술: SEN PHT PNP LO ALM M12 IR BG OND

제조업체: SICK
유품
HSE18-B4B1BA

HSE18-B4B1BA

기술: SEN PHT PNP/NPN LO M12 IR BG

제조업체: SICK
유품
HSE18-N4B2BA

HSE18-N4B2BA

기술: SEN PHT NPN LO/DO M12 RED BG

제조업체: SICK
유품
HSE18-B1G2BA

HSE18-B1G2BA

기술: SEN PHT PNP/NPN LO CBL RED BG

제조업체: SICK
유품
HSE18-N4A1BA

HSE18-N4A1BA

기술: SEN PHT NPN LO/DO M12 IR BG

제조업체: SICK
유품
HSE18-B3A2BA

HSE18-B3A2BA

기술: SEN PHT PNP/NPN LO M8-4 RED BG

제조업체: SICK
유품

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