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BU808DFI

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  • 제품 모델
    BU808DFI
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    BU808DFI.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    700V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    1.6V @ 500mA, 5A
  • 트랜지스터 유형
    NPN - Darlington
  • 제조업체 장치 패키지
    ISOWATT-218
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    52W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    ISOWATT-218-3
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 700V 8A 52W Through Hole ISOWATT-218
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    60 @ 5A, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    400µA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    8A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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BU8255KVT-E2

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BU8788KN-E2

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제조업체: LAPIS Semiconductor
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BU8763FV-E2

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BU8872FS-E2

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제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
BU8793KN-E2

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기술: IC SOUND GENERATOR LSI QFN28V TR

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
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BU8732AKV-E2

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제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
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BU807

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제조업체: STMicroelectronics
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BU8307CF-E2

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BU806

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기술: TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220

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BU806

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기술: TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220

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BU8254KVT-E2

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BU8770AFV-E2

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BU810

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제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
BU806

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기술: THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor
유품
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BU8772KN-E2

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기술: IC LED DRIVER RGB 28QFN

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BU8761KV

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BU8871F-E2

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BU807

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BU807TU

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