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ESM2012DV

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  • 제품 모델
    ESM2012DV
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    ESM2012DV.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    120V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    1.5V @ 1A, 100A
  • 트랜지스터 유형
    NPN - Darlington
  • 제조업체 장치 패키지
    ISOTOP®
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    175W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    ISOTOP
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 120A 175W Chassis Mount ISOTOP®
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    1200 @ 100A, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    -
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    120A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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ESM18DTMS

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ESM18DTMI-S189

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ESM22DKKH

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기술: TRANS NPN DARL 300V 67A ISOTOP

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