Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IRF630
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3714498IRF630 이미지STMicroelectronics

IRF630

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$1.27
50+
$1.013
100+
$0.886
500+
$0.687
1000+
$0.543
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IRF630
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IRF630.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220AB
  • 연속
    MESH OVERLAY™ II
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    400 mOhm @ 4.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    75W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 다른 이름들
    497-2757-5
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    38 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    700pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    200V
  • 상세 설명
    N-Channel 200V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    9A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
배송
지불
다음은 "IRF630"관련 제품입니다.
IRF624STRR

IRF624STRR

기술: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRF630NPBF

IRF630NPBF

기술: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF630NLPBF

IRF630NLPBF

기술: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF630NL

IRF630NL

기술: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF630NSTRLPBF

IRF630NSTRLPBF

기술: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF630L

IRF630L

기술: MOSFET N-CH 200V 9A TO-262

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRF630BTSTU_FP001

IRF630BTSTU_FP001

기술: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
IRF6218STRLPBF

IRF6218STRLPBF

기술: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF6218SPBF

IRF6218SPBF

기술: MOSFET P-CH 150V 27A D2-PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF624L

IRF624L

기술: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRF624PBF

IRF624PBF

기술: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRF624S

IRF624S

기술: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRF624STRL

IRF624STRL

기술: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRF624

IRF624

기술: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRF630B_FP001

IRF630B_FP001

기술: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
IRF630NS

IRF630NS

기술: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF624SPBF

IRF624SPBF

기술: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRF6218PBF

IRF6218PBF

기술: MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF630NSPBF

IRF630NSPBF

기술: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF630FP

IRF630FP

기술: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.