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4473650NAND01GW3B2AN6F 이미지STMicroelectronics

NAND01GW3B2AN6F

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  • 제품 모델
    NAND01GW3B2AN6F
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    NAND01GW3B2AN6F.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    30ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 제조업체 장치 패키지
    48-TSOP
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 30ns 48-TSOP
  • 기본 부품 번호
    NAND01G
  • 액세스 시간
    30ns

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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NAND01GR3B2CZA6E

NAND01GR3B2CZA6E

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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NAND01GW3B2BZA6E

NAND01GW3B2BZA6E

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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RFQ
NAND01GW3B2CZA6E

NAND01GW3B2CZA6E

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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NAND04GR3B2DN6E

NAND04GR3B2DN6E

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology
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NAND02GW3B2DZA6E

NAND02GW3B2DZA6E

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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NAND02GAH0LZC5E

NAND02GAH0LZC5E

기술: IC FLASH 2G MMC 52MHZ 153LFBGA

제조업체: Micron Technology
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NAND01GW4B2AN6E

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: STMicroelectronics
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NAND01GR3B2BZA6E

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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NAND04GW3B2DN6E

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

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NAND02GW3B2AN6F

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NAND01GW3B2AN6E

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NAND02GR3B2DN6E

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NAND02GR3B2DZA6E

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기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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NAND02GW3B2DN6E

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NAND01GW3A0AN6E

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NAND01GW3B2AZA6E

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NAND02GAH0IZC5E

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NAND01GW3A2AN6E

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NAND04GW3C2BN6E

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NAND01GW3B2CN6E

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