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2093552NAND512W3A2BN6E 이미지STMicroelectronics

NAND512W3A2BN6E

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규격
  • 제품 모델
    NAND512W3A2BN6E
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    NAND512W3A2BN6E.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    50ns
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 제조업체 장치 패키지
    48-TSOP
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 다른 이름들
    497-5040
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 48-TSOP
  • 기본 부품 번호
    NAND512
  • 액세스 시간
    50ns

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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NAND512W3A0AN6

NAND512W3A0AN6

기술: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

제조업체: STMicroelectronics
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NAND512W3A2CN6E

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology
유품
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NAND512W3A2SN6E

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology
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NAND512R3A2SE06

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Micron Technology
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NAND512W3A2SN6F TR

NAND512W3A2SN6F TR

기술: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology
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NAND512R3A3AZA6E

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA

제조업체: STMicroelectronics
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NAND512W3A2DZA6E

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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NAND512W3A2BZA6E

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

제조업체: STMicroelectronics
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NAND512R3A2SZAXE

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NAND512R3A2SZA6F

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

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NAND512W3A0AV6E

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 48WSOP

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NAND512W3A2BN6F

NAND512W3A2BN6F

기술: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

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NAND512R3A2SN6E

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기술: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

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NAND512R3A2SZA6E

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NAND512R3A2SN6F

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NAND512W3A2SE06

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NAND512W3A2CZA6E

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NAND512W3A2SNXE

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NAND512W3A2DN6E

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NAND512W3A0AN6E

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