Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > STB11NM60N-1
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
2751651STB11NM60N-1 이미지STMicroelectronics

STB11NM60N-1

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1000+
$2.013
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    STB11NM60N-1
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STB11NM60N-1.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±25V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    I2PAK
  • 연속
    MDmesh™ II
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    450 mOhm @ 5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    90W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    850pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    10A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
배송
지불
다음은 "STB11NM60N-1"관련 제품입니다.
STB12100TR

STB12100TR

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK

제조업체: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
유품
RFQ
STB11N52K3

STB11N52K3

기술: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB120NF10T4

STB120NF10T4

기술: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB11NM80T4

STB11NM80T4

기술: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB11NM60T4

STB11NM60T4

기술: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB11NK50ZT4

STB11NK50ZT4

기술: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB10NK60ZT4

STB10NK60ZT4

기술: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB10NK60Z-1

STB10NK60Z-1

기술: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB12-2-2

STB12-2-2

기술: MARKER CHEVRON 2 LEGEND RD

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity
유품
RFQ
STB120N4F6

STB120N4F6

기술: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB110N55F6

STB110N55F6

기술: MOSFET N-CH 550V D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB120N4LF6

STB120N4LF6

기술: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB11NK40ZT4

STB11NK40ZT4

기술: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB11N65M5

STB11N65M5

기술: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB11NM60-1

STB11NM60-1

기술: MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB12NK80ZT4

STB12NK80ZT4

기술: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB12-7-7

STB12-7-7

기술: MARKER CHEVRON 7 LEGEND VLT

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity
유품
RFQ
STB10N95K5

STB10N95K5

기술: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB11NM60FDT4

STB11NM60FDT4

기술: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STB120N10F4

STB120N10F4

기술: MOSFET N-CH 100V D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.