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6370499STB13N80K5 이미지STMicroelectronics

STB13N80K5

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규격
  • 제품 모델
    STB13N80K5
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STB13N80K5.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 100µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    D2PAK
  • 연속
    SuperMESH5™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    450 mOhm @ 6A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    190W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    497-13860-1
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    42 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    870pF @ 100V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    800V
  • 상세 설명
    N-Channel 800V 12A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    12A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STB12NM60N-1

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유품
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STB13005-1

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기술: TRANS NPN 400V 4A I2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STB13NM50N-1

STB13NM50N-1

기술: MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STB141NF55

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제조업체: STMicroelectronics
유품
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STB13007DT4

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기술: TRANS NPN 400V 8A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STB140NF55T4

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기술: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

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STB13NK60ZT4

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STB130NS04ZBT4

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유품
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STB13NM60N

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STB140N4F6

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유품
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STB141NF55-1

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기술: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

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STB13N60M2

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기술: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
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RFQ
STB12NM50T4

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기술: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK

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STB12NM50ND

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STB13NM50N

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STB130N6F7

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STB140NF75T4

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기술: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

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STB14N80K5

STB14N80K5

기술: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

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