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STMicroelectronics

STB46NF30

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유품

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규격

제품 모델

STB46NF30
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.STB46NF30.pdf
2.STB46NF30.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

4V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

D2PAK
연속

STripFET™ II
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

75 mOhm @ 17A, 10V
전력 소비 (최대)

300W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들

497-17873-2
STB46NF30-ND
작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

38 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3200pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

300V
상세 설명

N-Channel 300V 42A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

42A (Tc)

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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일

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