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STBV42-AP

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규격
  • 제품 모델
    STBV42-AP
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS NPN 400V 1A TO-92
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STBV42-AP.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    400V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    1.5V @ 250mA, 750mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-92AP
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    1W
  • 포장
    Tape & Box (TB)
  • 패키지 / 케이스
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 다른 이름들
    497-12546-3
    STBV42-AP-ND
    STBV42AP
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    38 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 1W Through Hole TO-92AP
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    10 @ 400mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    1mA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    1A
  • 기본 부품 번호
    STBV42

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STBV45G

STBV45G

기술: TRANS NPN 400V 0.75A TO-92

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STBV42G-AP

STBV42G-AP

기술: TRANS NPN 400V 1A TO-92AP

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STBR3012WY

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247

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STBV68

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기술: TRANS NPN 400V 0.6A TO-92

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STBP120AVDK6F

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기술: IC OVP W/THERMAL SHUTDOWN 10TDFN

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STBV45

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STBV42D

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STBV32G-AP

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STBP120BVDK6F

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기술: IC OVP W/THERMAL SHUTDOWN 10TDFN

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STBV42

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기술: TRANS NPN 400V 1A TO-92

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STBV32-AP

STBV32-AP

기술: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92

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STBP120DVDK6F

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STBR6012WY

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

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STBR6012W

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

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