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4899911STGB15M65DF2 이미지STMicroelectronics

STGB15M65DF2

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유품
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100+
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규격
  • 제품 모델
    STGB15M65DF2
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STGB15M65DF2.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    650V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2V @ 15V, 15A
  • 시험 조건
    400V, 15A, 12 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    24ns/93ns
  • 에너지 전환
    90µJ (on), 450µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    D2PAK
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    142ns
  • 전력 - 최대
    136W
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    497-16507-1
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    42 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 게이트 충전
    45nC
  • 상세 설명
    IGBT Trench Field Stop 650V 30A 136W Surface Mount D2PAK
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    60A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    30A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STGB10NC60KDT4

STGB10NC60KDT4

기술: IGBT 600V 20A 65W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB20N40LZ

STGB20N40LZ

기술: IGBT 390V 25A 150W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB19NC60KT4

STGB19NC60KT4

기술: IGBT 600V 35A 125W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB10NB37LZT4

STGB10NB37LZT4

기술: IGBT 440V 20A 125W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB20M65DF2

STGB20M65DF2

기술: IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB10NB60ST4

STGB10NB60ST4

기술: IGBT 600V 29A 80W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB14NC60KDT4

STGB14NC60KDT4

기술: IGBT 600V 25A 80W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB10NC60HDT4

STGB10NC60HDT4

기술: IGBT 600V 20A 65W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB18N40LZT4

STGB18N40LZT4

기술: IGBT 420V 30A 150W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB12NB60KDT4

STGB12NB60KDT4

기술: IGBT 600V 30A 125W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB19NC60HDT4

STGB19NC60HDT4

기술: IGBT 600V 40A 130W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB20N45LZAG

STGB20N45LZAG

기술: POWER TRANSISTORS

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB19NC60WT4

STGB19NC60WT4

기술: IGBT 600V 40A 130W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB18N40LZ-1

STGB18N40LZ-1

기술: IGBT 420V 30A 150W I2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB19NC60KDT4

STGB19NC60KDT4

기술: IGBT 600V 35A 125W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB10NC60KT4

STGB10NC60KT4

기술: IGBT 600V 20A 65W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB14NC60KT4

STGB14NC60KT4

기술: IGBT 600V 25A 80W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB20H60DF

STGB20H60DF

기술: IGBT 600V 40A 167W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB10NB40LZT4

STGB10NB40LZT4

기술: IGBT 440V 20A 150W D2PAK

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STGB15H60DF

STGB15H60DF

기술: IGBT 600V 30A 115W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
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