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2970694STGB30H60DFB 이미지STMicroelectronics

STGB30H60DFB

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유품
1000+
$1.334
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    STGB30H60DFB
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STGB30H60DFB.pdf
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2V @ 15V, 30A
  • 시험 조건
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    37ns/146ns
  • 에너지 전환
    383µJ (on), 293µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    D2PAK
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    53ns
  • 전력 - 최대
    260W
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    497-16518-2
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    42 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 게이트 충전
    149nC
  • 상세 설명
    IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Surface Mount D2PAK
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    120A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    60A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STGB20V60F

STGB20V60F

기술: IGBT 600V 40A 167W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30H60DLLFBAG

STGB30H60DLLFBAG

기술: IGBT

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB25N40LZAG

STGB25N40LZAG

기술: POWER TRANSISTORS

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB35N35LZT4

STGB35N35LZT4

기술: IGBT 345V 40A 176W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30H60DLFB

STGB30H60DLFB

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB20NB32LZ

STGB20NB32LZ

기술: IGBT 375V 40A 150W I2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30NC60KT4

STGB30NC60KT4

기술: IGBT 600V 60A 185W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30H60DF

STGB30H60DF

기술: IGBT 600V 60A 260W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB35N35LZ-1

STGB35N35LZ-1

기술: IGBT 345V 40A 176W I2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB20V60DF

STGB20V60DF

기술: IGBT 600V 40A 167W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB20NB41LZT4

STGB20NB41LZT4

기술: IGBT 442V 40A 200W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30H65FB

STGB30H65FB

기술: IGBT

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30V60DF

STGB30V60DF

기술: IGBT 600V 60A 258W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB20NB37LZ

STGB20NB37LZ

기술: IGBT 425V 40A 200W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30NC60WT4

STGB30NC60WT4

기술: IGBT 600V 60A 200W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB20NB37LZT4

STGB20NB37LZT4

기술: IGBT 425V 40A 200W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30M65DF2

STGB30M65DF2

기술: IGBT 650V 30A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB20NC60V

STGB20NC60V

기술: IGBT 600V 60A 200W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB30V60F

STGB30V60F

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGB20NC60VT4

STGB20NC60VT4

기술: IGBT 600V 60A 200W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
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