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STGD3NC120H-1

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유품
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규격
  • 제품 모델
    STGD3NC120H-1
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 1200V 16A IPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STGD3NC120H-1.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    1200V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.8V @ 15V, 3A
  • 시험 조건
    800V, 3A, 10 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    15ns/118ns
  • 에너지 전환
    236µJ (on), 290µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    IPAK (TO-251)
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    105W
  • 패키지 / 케이스
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    -
  • 게이트 충전
    24nC
  • 상세 설명
    IGBT 1200V 16A 105W Through Hole IPAK (TO-251)
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    20A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    16A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STGD18N40LZT4

STGD18N40LZT4

기술: IGBT 420V 25A 125W DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD3NB60HDT4

STGD3NB60HDT4

기술: IGBT 600V 10A 50W DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD20N40LZ

STGD20N40LZ

기술: IGBT 390V 25A 125W DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD7NB120ST4

STGD7NB120ST4

기술: IGBT 1200V 10A 55W DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD3NB60SD-1

STGD3NB60SD-1

기술: IGBT 600V 6A 48W DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD6NC60H-1

STGD6NC60H-1

기술: IGBT N-CH 600V 7A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD6NC60HDT4

STGD6NC60HDT4

기술: IGBT 600V 15A 56W DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD7NB120S-1

STGD7NB120S-1

기술: IGBT 1200V 10A 55W IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD5NB120SZ-1

STGD5NB120SZ-1

기술: IGBT 1200V 10A 75W IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD3HF60HDT4

STGD3HF60HDT4

기술: IGBT 600V 7.5A 38W DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD6M65DF2

STGD6M65DF2

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD5NB120SZT4

STGD5NB120SZT4

기술: IGBT 1200V 10A 75W DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD4M65DF2

STGD4M65DF2

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD19N40LZ

STGD19N40LZ

기술: IGBT 20V 40A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD3NB60SDT4

STGD3NB60SDT4

기술: IGBT 600V 6A 48W DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD6NC60HT4

STGD6NC60HT4

기술: IGBT 600V 15A 56W DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD25N40LZAG

STGD25N40LZAG

기술: POWER TRANSISTORS

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD20N45LZAG

STGD20N45LZAG

기술: POWER TRANSISTORS

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STGD5H60DF

STGD5H60DF

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGD3NB60FT4

STGD3NB60FT4

기술: IGBT 600V 6A 60W DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
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