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6505032STGWT20H60DF 이미지STMicroelectronics

STGWT20H60DF

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유품
600+
$2.074
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    STGWT20H60DF
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 40A 167W TO3PF
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STGWT20H60DF.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2V @ 15V, 20A
  • 시험 조건
    400V, 20A, 10 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    42.5ns/177ns
  • 에너지 전환
    209µJ (on), 261µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-3P
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    90ns
  • 전력 - 최대
    167W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 다른 이름들
    497-13961-5
    STGWT20H60DF-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    38 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 게이트 충전
    115nC
  • 상세 설명
    IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-3P
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    80A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    40A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STGWA80H65DFB

STGWA80H65DFB

기술: IGBT BIPO 650V 80A TO247-3

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWA8M120DF3

STGWA8M120DF3

기술: IGBT

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT30H65FB

STGWT30H65FB

기술: IGBT 650V 30A 260W TO3PL

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWA75M65DF2

STGWA75M65DF2

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWF30NC60S

STGWF30NC60S

기술: IGBT 600V 35A 79W TO3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWA80H65FB

STGWA80H65FB

기술: IGBT 650V 120A 469W TO247

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWA60NC60WDR

STGWA60NC60WDR

기술: IGBT 600V 130A 340W TO247

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT20HP65FB

STGWT20HP65FB

기술: IGBT

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT20IH125DF

STGWT20IH125DF

기술: IGBT 1250V 40A 259W TO-3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT20H65FB

STGWT20H65FB

기술: IGBT 650V 40A 168W TO3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT30HP65FB

STGWT30HP65FB

기술: IGBT TRENCH 650V 60A TO3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT28IH125DF

STGWT28IH125DF

기술: IGBT 1250V 60A 375W TO-3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWA60V60DF

STGWA60V60DF

기술: IGBT BIPO 600V 60A TO247-3

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT20V60F

STGWT20V60F

기술: IGBT 600V 40A 167W TO3PF

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWS38IH130D

STGWS38IH130D

기술: IGBT 1300V 55A 180W TO247

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT20V60DF

STGWT20V60DF

기술: IGBT 600V 40A 167W TO3P-3

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWF40V60DF

STGWF40V60DF

기술: IGBT BIPO 600V 40A TO3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT15H60F

STGWT15H60F

기술: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT30V60DF

STGWT30V60DF

기술: IGBT 600V 60A 258W TO3P-3

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT30H60DFB

STGWT30H60DFB

기술: IGBT 600V 60A 260W TO3PL

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
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