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216807STGWT40HP65FB 이미지STMicroelectronics

STGWT40HP65FB

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유품
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$2.63
10+
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100+
$1.901
600+
$1.562
1200+
$1.294
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규격
  • 제품 모델
    STGWT40HP65FB
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STGWT40HP65FB.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    650V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2V @ 15V, 40A
  • 시험 조건
    400V, 40A, 5 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    -/142ns
  • 에너지 전환
    363µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-3P
  • 연속
    HB
  • 역 회복 시간 (trr)
    140ns
  • 전력 - 최대
    283W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 다른 이름들
    497-16972
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    42 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 게이트 충전
    210nC
  • 상세 설명
    IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    160A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    80A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STGWT38IH130D

STGWT38IH130D

기술: IGBT 1300V 63A 250W TO3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT80H65FB

STGWT80H65FB

기술: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT30H65FB

STGWT30H65FB

기술: IGBT 650V 30A 260W TO3PL

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT30H60DFB

STGWT30H60DFB

기술: IGBT 600V 60A 260W TO3PL

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT30V60DF

STGWT30V60DF

기술: IGBT 600V 60A 258W TO3P-3

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT60V60DF

STGWT60V60DF

기술: IGBT 600V 80A 375W TO3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT30HP65FB

STGWT30HP65FB

기술: IGBT TRENCH 650V 60A TO3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT40H65DFB

STGWT40H65DFB

기술: IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT60V60DLF

STGWT60V60DLF

기술: IGBT BIPO 600V 60A TO3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT28IH125DF

STGWT28IH125DF

기술: IGBT 1250V 60A 375W TO-3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT60H60DLFB

STGWT60H60DLFB

기술: IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT30V60F

STGWT30V60F

기술: IGBT 600V 60A 260W TO3PF

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT40H65FB

STGWT40H65FB

기술: IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT80H65DFB

STGWT80H65DFB

기술: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT80V60DF

STGWT80V60DF

기술: IGBT 600V 120A 469W TO-3P

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT40H60DLFB

STGWT40H60DLFB

기술: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT40V60DLF

STGWT40V60DLF

기술: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGWT60H65FB

STGWT60H65FB

기술: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
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RFQ
STGWT60H65DFB

STGWT60H65DFB

기술: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

제조업체: STMicroelectronics
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RFQ
STGWT40V60DF

STGWT40V60DF

기술: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

제조업체: STMicroelectronics
유품
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