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STH275N8F7-6AG

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  • 제품 모델
    STH275N8F7-6AG
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STH275N8F7-6AG.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    H2PAK-6
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.1 mOhm @ 90A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    315W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • 다른 이름들
    497-15474-2
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    38 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    13600pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    193nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    80V
  • 상세 설명
    N-Channel 80V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    180A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STH270N4F3-2

STH270N4F3-2

기술: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2

제조업체: STMicroelectronics
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STH260N6F6-6

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STH310N10F7-2

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STH290N4F6-6AG

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STH260N6F6-2

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STH270N8F7-2

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STH290N4F6-6

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STH272N6F7-6AG

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STH320N4F6-2

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STH310N10F7-6

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STH315N10F7-2

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STH270N8F7-6

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STH265N6F6-2AG

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STH315N10F7-6

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STH270N4F3-6

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STH290N4F6-2AG

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STH290N4F6-2

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STH275N8F7-2AG

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STH300NH02L-6

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기술: MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6

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