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24106STL4P2UH7 이미지STMicroelectronics

STL4P2UH7

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규격
  • 제품 모델
    STL4P2UH7
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STL4P2UH7.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerFlat™ (2x2)
  • 연속
    DeepGATE™, STripFET™ VII
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    100 mOhm @ 2A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    2.4W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    6-PowerWDFN
  • 다른 이름들
    497-14996-2
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    510pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    4.8nC @ 4.5V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    20V
  • 상세 설명
    P-Channel 20V 4A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    4A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STL56N3LLH5

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STL42P4LLF6

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기술: MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT

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STL45N10F7AG

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STL52N25M5

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제조업체: STMicroelectronics
유품
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STL45P3LLH6

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기술: MOSFET NCH 30V 45A POWERFLAT

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STL42N65M5

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기술: MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV

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유품
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기술: MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT

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STL55NH3LL

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제조업체: STMicroelectronics
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제조업체: STMicroelectronics
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STL58N3LLH5

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기술: MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT

제조업체: STMicroelectronics
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기술: MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT56

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기술: MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT

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기술: MOSFET N-CH 60V 50A POWERFLAT

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STL42P6LLF6

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기술: MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
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