STLD200N4F6AG

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제품 모델

STLD200N4F6AG
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

STLD200N4F6AG.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

4V @ 1mA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6) Dual Side
연속

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

1.5 mOhm @ 75A, 10V
전력 소비 (최대)

158W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-PowerWDFN
다른 이름들

497-17148-2
작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

38 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10700pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

172nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

40V
상세 설명

N-Channel 40V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Dual Side
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

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STLC60845

기술: TXRX ASDL TELECOM

제조업체: STMicroelectronics

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