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648049STP30NM60N 이미지STMicroelectronics

STP30NM60N

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유품
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규격
  • 제품 모델
    STP30NM60N
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STP30NM60N.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220AB
  • 연속
    MDmesh™ II
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    130 mOhm @ 12.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    190W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 다른 이름들
    497-8447-5
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2700pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    91nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    25A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STP32NM50N

STP32NM50N

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유품
RFQ
STP30NM50N

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제조업체: STMicroelectronics
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STP2NK90Z

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유품
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STP30N20

STP30N20

기술: MOSFET N-CH 200V 30A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
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STP310N10F7

STP310N10F7

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제조업체: STMicroelectronics
유품
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STP30NM30N

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제조업체: STMicroelectronics
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STP34N65M5

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STP33N65M2

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기술: MOSFET N-CH 650V 24A TO220

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STP33N60M2

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기술: MOSFET N-CH 600V 26A TO220

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유품
RFQ
STP2NK60Z

STP2NK60Z

기술: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
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