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STMicroelectronics

STP4NB80

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유품

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규격

제품 모델

STP4NB80
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 800V 4A TO-220
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

STP4NB80.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

5V @ 250µA
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-220AB
연속

PowerMESH™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

3.3 Ohm @ 2A, 10V
전력 소비 (최대)

100W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-220-3
다른 이름들

497-2781-5
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

920pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

800V
상세 설명

N-Channel 800V 4A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일

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