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3410513STPLED627 이미지STMicroelectronics

STPLED627

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유품
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규격
  • 제품 모델
    STPLED627
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 620V 7A TO-220
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STPLED627.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    90W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3 Full Pack
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    890pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    620V
  • 상세 설명
    N-Channel 620V 7A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    7A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STPM10BTR

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STPIC6C595M

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제조업체: STMicroelectronics
유품
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STPM13ATR

STPM13ATR

기술: IC ENERGY METER 1 PHASE 20TSSOP

제조업체: STMicroelectronics
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STPIC44L02PTR

STPIC44L02PTR

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제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STPM33TR

STPM33TR

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제조업체: STMicroelectronics
유품
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STPCI2HEYC

STPCI2HEYC

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제조업체: STMicroelectronics
유품
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STPIC6C595TTR

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기술: IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-TSSOP

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STPMC1BTR

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기술: IC ENERGY METER 3 PHASE 20TSSOP

제조업체: STMicroelectronics
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STPIC6D595TTR

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STPM14ATR

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기술: IC SHIFT REGISTER 8BIT 16DIP

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STPM01FTR

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기술: IC ENERGY METER 1 PHASE 20TSSOP

제조업체: STMicroelectronics
유품
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기술: IC SHIFT REGISTER 8BIT 16SOIC

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