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STT6N3LLH6

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규격
  • 제품 모델
    STT6N3LLH6
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STT6N3LLH6.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-23-6
  • 연속
    DeepGATE™, STripFET™ VI
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    25 mOhm @ 3A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.6W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-23-6
  • 다른 이름들
    497-13591-1
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    283pF @ 24V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    3.6nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 6A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    6A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTA112U

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제조업체: STMicroelectronics
유품
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STTA1206G

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제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STTA1206D

STTA1206D

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제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STT3PF20V

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STTA12006TV1

STTA12006TV1

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제조업체: STMicroelectronics
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STT5N2VH5

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제조업체: STMicroelectronics
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STT2200N16P55XPSA1

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기술: SCR MODULE POWERBLOCK PS55-1

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기술: DIODE GEN PURP 600V 12A D2PAK

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STTA106U

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

제조업체: STMicroelectronics
유품
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