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STTA312B

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    STTA312B
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
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    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STTA312B.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.8V @ 3A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1200V
  • 제조업체 장치 패키지
    DPAK
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    TURBOSWITCH™
  • 역 회복 시간 (trr)
    115ns
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 작동 온도 - 정션
    125°C (Max)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 1200V 3A Surface Mount DPAK
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    20µA @ 1200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    3A
  • VR, F @ 용량
    -

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTA506B-TR

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

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STTA3006P

STTA3006P

기술: DIODE ARRAY GP 600V 30A SOD93

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STTA406

기술: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

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STTA512F

기술: DIODE GP 1.2KV 5A ISOWATT-220AC

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STTA506D

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

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STTA212S

STTA212S

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMC

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STTA512FP

STTA512FP

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220FP

제조업체: STMicroelectronics
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STTA3006CW

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기술: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247-3

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STTA2006PIRG

STTA2006PIRG

기술: DIODE GEN PURP 600V 20A DOP3I

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STTA6006TV1

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기술: DIODE MODULE 600V 30A ISOTOP

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기술: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

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기술: DIODE ARRAY GP 1200V 25A SOD93

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STTA6006TV2

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기술: DIODE MODULE 600V 30A ISOTOP

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STTA2006PI

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기술: DIODE GEN PURP 600V 20A DOP3I

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STTA306B-TR

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기술: DIODE GEN PURP 600V 3A DPAK

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기술: DIODE GEN PURP 600V 20A SOD93-2

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STTA512B

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK

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STTA1512PIRG

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A DOP3I

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STTA506B

STTA506B

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

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