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STTH112UFY

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    STTH112UFY
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    STMicroelectronics
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  • 기술
    DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STTH112UFY.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.9V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1200V
  • 제조업체 장치 패키지
    SMB
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
  • 역 회복 시간 (trr)
    75ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AA, SMB
  • 다른 이름들
    497-14814-2
  • 작동 온도 - 정션
    -40°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 1200V 1A Surface Mount SMB
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 1200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    -

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTH110RL

STTH110RL

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

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STTH1202DI

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STTH110A

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STTH112U

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMA

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STTH120L04TV1

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기술: DIODE MODULE 400V 60A ISOTOP

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STTH112RL

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO41

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STTH12012TV2

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STTH12004TV1

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STTH12010TV1

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STTH10R04G

STTH10R04G

기술: DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK

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STTH12003TV1

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기술: DIODE MODULE 300V 60A ISOTOP

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STTH10R04G-TR

STTH10R04G-TR

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STTH1202FP

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STTH12002TV1

STTH12002TV1

기술: DIODE MODULE 200V 60A ISOTOP

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STTH110UFY

STTH110UFY

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMBFLAT

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STTH1202D

STTH1202D

기술: DIODE GEN PURP 200V 12A TO220AC

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STTH110

STTH110

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

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