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STTH4L06RL

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  • 제품 모델
    STTH4L06RL
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STTH4L06RL.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 3A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-201AD
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    75ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-201AD, Axial
  • 작동 온도 - 정션
    175°C (Max)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 4A Through Hole DO-201AD
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    3µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    4A
  • VR, F @ 용량
    -
  • 기본 부품 번호
    STTH4L06

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTH4R02B-TR

STTH4R02B-TR

기술: DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK

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STTH4R02B

STTH4R02B

기술: DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STTH4R02

STTH4R02

기술: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB

제조업체: STMicroelectronics
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STTH3R06UFY

STTH3R06UFY

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A SMBFLAT

제조업체: STMicroelectronics
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STTH3R06

STTH3R06

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: STMicroelectronics
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STTH4L06Q

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기술: DIODE GEN PURP 600V 4A DO15

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STTH4R02FP

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기술: DIODE GEN PURP 200V 4A TO220FP

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STTH4R02S

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기술: DIODE GEN PURP 200V 4A SMC

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STTH4R02U

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기술: DIODE GEN PURP 200V 4A SMB

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STTH4L06QRL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 4A DO15

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STTH3R06RL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

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STTH4L06

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기술: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

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STTH3R06S

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기술: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

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STTH4R02RL

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기술: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB

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STTH4R02D

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STTH4R02BY-TR

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STTH3R06U

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STTH40P03ST

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STTH40P03SFP

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STTH4R02SY

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