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STTH80S06W

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규격
  • 제품 모델
    STTH80S06W
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE TURBO2 600V 80A DO247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STTH80S06W.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    80A
  • 전압 - 파괴
    DO-247
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Tube
  • 역 회복 시간 (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    DO-247-2 (Straight Leads)
  • 다른 이름들
    497-16023-5
  • 작동 온도 - 정션
    75ns
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    7 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    STTH80S06W
  • 확장 설명
    Diode Standard 600V 80A Through Hole DO-247
  • 다이오드 구성
    50µA @ 600V
  • 기술
    DIODE TURBO2 600V 80A DO247
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    2.2V @ 20A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    600V
  • VR, F @ 용량
    -40°C ~ 175°C

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STTH806DIRG

STTH806DIRG

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

제조업체: STMicroelectronics
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STTH812G

STTH812G

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STTH802G-TR

STTH802G-TR

기술: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STTH812D

STTH812D

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC

제조업체: STMicroelectronics
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STTH812FP

STTH812FP

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220FP

제조업체: STMicroelectronics
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STTH806G-TR

STTH806G-TR

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

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STTH810GY-TR

STTH810GY-TR

기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK

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STTH810G

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK

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기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220LNS

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STTH806DTI

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

제조업체: STMicroelectronics
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STTH810FP

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP

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STTH806G

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

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STTH806TTI

STTH806TTI

기술: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB

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STTH810G-TR

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK

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STTH803D

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기술: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC

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STTH806D

STTH806D

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

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STTH803G-TR

STTH803G-TR

기술: DIODE GEN PURP 300V 8A D2PAK

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STTH810D

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB

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