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6044972STU10P6F6 이미지STMicroelectronics

STU10P6F6

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규격
  • 제품 모델
    STU10P6F6
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STU10P6F6.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    IPAK (TO-251)
  • 연속
    DeepGATE™, STripFET™ VI
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    160 mOhm @ 5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    35W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 다른 이름들
    497-13884-5
  • 작동 온도
    175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    340pF @ 48V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    6.4nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    P-Channel 60V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    10A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STU16N60M2

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RFQ
STU16N65M2

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기술: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STU10(UA)

STU10(UA)

기술: TIME DELAY 40A 3N/O 20A 1N/O

제조업체: Omron Automation & Safety
유품
RFQ
STU12N60M2

STU12N60M2

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제조업체: STMicroelectronics
유품
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STU150N3LLH6

STU150N3LLH6

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제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STU10NM60N

STU10NM60N

기술: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STU10NM65N

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기술: MOSFET N-CH 650V 9A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STU10(RA)

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기술: TIME DELAY 40A 3N/O 20A 1N/O

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STU12N65M5

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STU13NM60N

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STU13005N

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STU13N60M2

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기술: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STU11NM60ND

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기술: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
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STU16N65M5

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기술: MOSFET N-CH 650V 12A IPAK

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STU10(SA)

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STU10(PA)

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STU11N65M2

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STU13N65M2

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기술: MOSFET N-CH 650V 10A IPAK

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STU10N60M2

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기술: MOSFET N-CH 600V IPAK

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