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6956232STU40N2LH5 이미지STMicroelectronics

STU40N2LH5

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  • 제품 모델
    STU40N2LH5
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 25V 40A IPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    STU40N2LH5.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±22V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    I-PAK
  • 연속
    STripFET™ V
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    12.4 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    35W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    700pF @ 20V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    6.3nC @ 5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    25V
  • 상세 설명
    N-Channel 25V 40A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I-PAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    40A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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STU3LN62K3

STU3LN62K3

기술: MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
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STU5N95K3

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기술: MOSFET N-CH 950V 4A IPAK

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STU2N95K5

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STU2N80K5

STU2N80K5

기술: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

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STU3N45K3

STU3N45K3

기술: MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK

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STU3N80K5

STU3N80K5

기술: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK

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STU3N65M6

STU3N65M6

기술: MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK

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STU5N62K3

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STU3N62K3

기술: MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK

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STU5N65M6

STU5N65M6

기술: MOSFET N-CHANNEL 650V 4A IPAK

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STU5N60M2

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기술: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220

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STU4N62K3

STU4N62K3

기술: MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK

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STU5N52K3

STU5N52K3

기술: MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK

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STU5N95K5

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기술: MOSFET N-CHANNEL 950V 3.5A IPAK

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STU4N80K5

STU4N80K5

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STU2NK100Z

STU2NK100Z

기술: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK

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STU60N3LH5

STU60N3LH5

기술: MOSFET N-CH 30V 48A IPAK

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STU4N52K3

STU4N52K3

기술: MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK

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STU3LN80K5

STU3LN80K5

기술: MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK

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