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STW35N60M2-EP

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유품

600+

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규격

제품 모델

STW35N60M2-EP
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술

MOSFET
무연 여부 / RoHS 준수 여부
아이디 @ VGS (일) (최대)

-
Vgs (최대)

-
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-247
연속

MDmesh™ M2-EP
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

-
전력 소비 (최대)

-
패키지 / 케이스

TO-247-3
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
제조업체 표준 리드 타임

42 Weeks
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-
소스 전압에 드레인 (Vdss)

600V
상세 설명

N-Channel 600V Through Hole TO-247
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일

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STW34N65M5

기술: MOSFET N-CH 650V 28A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW33N60M2

기술: MOSFET N-CH 600V 26A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW34NB20

기술: MOSFET N-CH 200V 34A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW38NB20

기술: MOSFET N-CH 200V 38A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW32NM50N

기술: MOSFET N CH 500V 22A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW36N55M5

기술: MOSFET N CH 550V 33A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW36NM60N

기술: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW31N65M5

기술: MOSFET N-CH 650V 22A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW37N60DM2AG

기술: MOSFET N-CH 600V 28A

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW34NM60N

기술: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW32N65M5

기술: MOSFET N-CH 650V 24A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW36N60M6

STW36N60M6

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW38N65M5-4

기술: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW35N65M5

기술: MOSFET N-CH 650V 27A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

유품

STW35N60DM2

기술: MOSFET N-CH 600V 28A

제조업체: STMicroelectronics

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STW38N65M5

기술: MOSFET N-CH 650V 30A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

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STW36NM60ND

기술: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247

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STW33N60DM2

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STW3N150

기술: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247

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STW34NM60ND

기술: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247

제조업체: STMicroelectronics

유품

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