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STW48N60M2-4 이미지

STMicroelectronics

STW48N60M2-4

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규격

제품 모델

STW48N60M2-4
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

STW48N60M2-4.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

4V @ 250µA
Vgs (최대)

±25V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-247-4L
연속

MDmesh™ M2
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

70 mOhm @ 21A, 10V
전력 소비 (최대)

300W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-247-4
다른 이름들

497-15448-5
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

42 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3060pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

600V
상세 설명

N-Channel 600V 42A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-4L
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

42A (Tc)

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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일

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