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6384068VND10BSPTR-E 이미지STMicroelectronics

VND10BSPTR-E

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규격
  • 제품 모델
    VND10BSPTR-E
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    VND10BSPTR-E.pdf
  • 전압 - 공급 (VCC / Vdd에)
    Not Required
  • 전압 - 부하
    6 V ~ 26 V
  • 스위치 유형
    General Purpose
  • 제조업체 장치 패키지
    10-PowerSO
  • 연속
    -
  • RDS 켜짐 (일반)
    100 mOhm (Max)
  • 비율 - 입력 : 출력
    1:1
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
  • 출력 유형
    N-Channel
  • 출력 구성
    High Side
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 출력 수
    2
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 인터페이스
    On/Off
  • 입력 유형
    Non-Inverting
  • 풍모
    Status Flag
  • 결함 보호
    Open Load Detect, Over Temperature
  • 전류 - 출력 (최대)
    3.4A
  • 기본 부품 번호
    VND10B

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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VND10N06TR-E

VND10N06TR-E

기술: MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10BSP13TR

VND10BSP13TR

기술: IC SSR HISIDE ISO 40V POWERSO10

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10B

VND10B

기술: IC SSR HISIDE 2CH PENTAWATT VERT

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND14NV04-1-E

VND14NV04-1-E

기술: MOSFET OMNIFET 40V 12A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10N06-1

VND10N06-1

기술: MOSFET POWER 60V 10A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND14NV04-1

VND14NV04-1

기술: MOSFET POWER 40V 12A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10B(011Y)

VND10B(011Y)

기술: IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10BSP

VND10BSP

기술: IC SSR HISIDE ISO 40V POWERSO10

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10N06-1-E

VND10N06-1-E

기술: MOSFET OMNIFET 60V 10A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10B-12-E

VND10B-12-E

기술: IC SSR HI SIDE DUAL PENTAWATT

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10N06

VND10N06

기술: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10N06-E

VND10N06-E

기술: MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10BSP-E

VND10BSP-E

기술: IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10B-E

VND10B-E

기술: IC SSR HI SIDE 2CH PENTAWATT VRT

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND05BSPTR-E

VND05BSPTR-E

기술: IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND14NV04-E

VND14NV04-E

기술: MOSFET N-CH 40V 12A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10B-11-E

VND10B-11-E

기술: IC SSR HI SIDE 2CH PENTAWATT HRZ

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND14NV04

VND14NV04

기술: MOSFET N-CH 40V 12A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10B(012Y)

VND10B(012Y)

기술: IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND10N0613TR

VND10N0613TR

기술: MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
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