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3932456VND5E160MJTR-E 이미지STMicroelectronics

VND5E160MJTR-E

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유품
2500+
$1.012
5000+
$0.975
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    VND5E160MJTR-E
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO12
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    VND5E160MJTR-E.pdf
  • 전압 - 공급 (VCC / Vdd에)
    Not Required
  • 전압 - 부하
    4.5 V ~ 28 V
  • 스위치 유형
    General Purpose
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerSSO-12™
  • 연속
    VIPower™
  • RDS 켜짐 (일반)
    160 mOhm (Max)
  • 비율 - 입력 : 출력
    1:1
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    12-LSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 출력 유형
    N-Channel
  • 출력 구성
    High Side
  • 다른 이름들
    497-11706-2
    VND5E160MJTR-E-ND
    VND5E160MJTRE
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 출력 수
    2
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 인터페이스
    On/Off
  • 입력 유형
    Non-Inverting
  • 풍모
    Auto Restart
  • 결함 보호
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
  • 전류 - 출력 (최대)
    7A
  • 기본 부품 번호
    VND5E160

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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VND5E050MJTR-E

VND5E050MJTR-E

기술: IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO12

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5N07-E

VND5N07-E

기술: MOSFET N-CH 70V 5A TO252

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5N07

VND5N07

기술: MOSFET N-CH 70V 5A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5E050MKTR-E

VND5E050MKTR-E

기술: IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO24

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5N07TR-E

VND5N07TR-E

기술: MOSFET OMNIFET 70V 5A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5N0713TR

VND5N0713TR

기술: MOSFET N-CH 70V 5A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5N07-1-E

VND5N07-1-E

기술: MOSFET OMNIFET 70V 5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5T035AK-E

VND5T035AK-E

기술: IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO24

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5E160ASOTR-E

VND5E160ASOTR-E

기술: IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16SOIC

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5T035ASTR-E

VND5T035ASTR-E

기술: IC DVR SWITCH HI SIDE 16SOIC

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5E050MJ-E

VND5E050MJ-E

기술: IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO12

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5E160MJ-E

VND5E160MJ-E

기술: IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO12

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5E160AJTR-E

VND5E160AJTR-E

기술: IC SW M0-5 2CH 10A ANLG PWRSSO12

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5T035AKTR-E

VND5T035AKTR-E

기술: IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSSO24

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5N07-1

VND5N07-1

기술: MOSFET PWR 70V 5A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5E160J-E

VND5E160J-E

기술: IC SW M0-5 2CH 10A DGTL PWRSSO12

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5E160JTR-E

VND5E160JTR-E

기술: IC SW M0-5 2CH 10A DGTL PWRSSO12

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5T016ASPTR-E

VND5T016ASPTR-E

기술: IC DRIVER HIGH SIDE 2CH PWRSO16

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5E050MK-E

VND5E050MK-E

기술: IC DVR SW HI SIDE 2CH POWERSSO24

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND5E160AJ-E

VND5E160AJ-E

기술: IC SW M0-5 2CH 10A ANLG PWRSSO12

제조업체: STMicroelectronics
유품
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