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2349617VND7N04-1-E 이미지STMicroelectronics

VND7N04-1-E

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규격
  • 제품 모델
    VND7N04-1-E
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET OMNIFET 42V 7A IPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    VND7N04-1-E.pdf
  • 전압 - 공급 (VCC / Vdd에)
    Not Required
  • 전압 - 부하
    31V (Max)
  • 스위치 유형
    General Purpose
  • 제조업체 장치 패키지
    I-PAK
  • 연속
    OMNIFET II™, VIPower™
  • RDS 켜짐 (일반)
    140 mOhm (Max)
  • 비율 - 입력 : 출력
    1:1
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 출력 유형
    N-Channel
  • 출력 구성
    Low Side
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 출력 수
    1
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 인터페이스
    On/Off
  • 입력 유형
    Non-Inverting
  • 풍모
    -
  • 결함 보호
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
  • 전류 - 출력 (최대)
    4A
  • 기본 부품 번호
    VN*7N

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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VND7NV0413TR

VND7NV0413TR

기술: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7N0413TR

VND7N0413TR

기술: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7NV04TR-E

VND7NV04TR-E

기술: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7140AJ12TR-E

VND7140AJ12TR-E

기술: IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO-12

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7NV04

VND7NV04

기술: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND810

VND810

기술: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7050AJ12TR-E

VND7050AJ12TR-E

기술: IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO-12

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7N04-1

VND7N04-1

기술: MOSFET POWER 42V 7A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7NV04-1

VND7NV04-1

기술: MOSFET POWER 40V 6A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7140AJ-E

VND7140AJ-E

기술: IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO16

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7140AJTR-E

VND7140AJTR-E

기술: IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO-16

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7140AJTR

VND7140AJTR

기술: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSSO16

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7N04

VND7N04

기술: MOSFET POWER 42V 7A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7140AJ12TR

VND7140AJ12TR

기술: IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO-12

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7NV04-E

VND7NV04-E

기술: MOSFET N-CH 40V 6A TO252

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7050AJTR

VND7050AJTR

기술: IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO-16

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7N04-E

VND7N04-E

기술: MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7050AJTR-E

VND7050AJTR-E

기술: IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO-16

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7N04TR-E

VND7N04TR-E

기술: MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7NV04-1-E

VND7NV04-1-E

기술: MOSFET OMNIFETII 40V 6A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
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