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4050577VND810MSP-E 이미지STMicroelectronics

VND810MSP-E

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규격
  • 제품 모델
    VND810MSP-E
  • 제조업체 / 브랜드
    STMicroelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    VND810MSP-E.pdf
  • 전압 - 공급 (VCC / Vdd에)
    Not Required
  • 전압 - 부하
    5.5 V ~ 36 V
  • 스위치 유형
    General Purpose
  • 제조업체 장치 패키지
    10-PowerSO
  • 연속
    VIPower™
  • RDS 켜짐 (일반)
    150 mOhm (Max)
  • 비율 - 입력 : 출력
    1:1
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
  • 출력 유형
    N-Channel
  • 출력 구성
    High Side
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 출력 수
    2
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 인터페이스
    On/Off
  • 입력 유형
    Non-Inverting
  • 풍모
    Auto Restart, Status Flag
  • 결함 보호
    Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
  • 전류 - 출력 (최대)
    600mA
  • 기본 부품 번호
    VND810

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024년9월27일
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VND810PTR-E

VND810PTR-E

기술: IC DRIVER HIGH SIDE SW 16-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND81013TR

VND81013TR

기술: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND810PEPTR-E

VND810PEPTR-E

기술: IC DRIVER HI SIDE 2CH POWERSSO12

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND810-E

VND810-E

기술: IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7NV04-E

VND7NV04-E

기술: MOSFET N-CH 40V 6A TO252

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND810SP

VND810SP

기술: IC DRIVER 2CH HI-SIDE POWERSO-10

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND810SP-E

VND810SP-E

기술: IC DVR HI SIDE 2CH 3.5A PWRSO10

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7NV04-1

VND7NV04-1

기술: MOSFET POWER 40V 6A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7NV04-1-E

VND7NV04-1-E

기술: MOSFET OMNIFETII 40V 6A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7NV04

VND7NV04

기술: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND810MSP

VND810MSP

기술: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND810PEP-E

VND810PEP-E

기술: IC DRIVER HI SIDE 2CH POWERSSO12

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND810MSPTR-E

VND810MSPTR-E

기술: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND810SPTR-E

VND810SPTR-E

기술: IC DVR HI SIDE 2CH 3.5A PWRSO10

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND810TR-E

VND810TR-E

기술: IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND810MSP13TR

VND810MSP13TR

기술: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7NV0413TR

VND7NV0413TR

기술: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND7NV04TR-E

VND7NV04TR-E

기술: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
VND810SP13TR

VND810SP13TR

기술: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

제조업체: STMicroelectronics
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RFQ
VND810

VND810

기술: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
유품
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