1N5811US

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규격

제품 모델

1N5811US
제조업체 / 브랜드

Semtech
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 150V 6A
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사양서

1N5811US.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

875mV @ 4A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

150V
제조업체 장치 패키지

-
속도

Fast Recovery = 200mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

30ns
포장

Bulk
패키지 / 케이스

SQ-MELF
다른 이름들

1N5811USS
작동 온도 - 정션

-
실장 형

Surface Mount
제조업체 표준 리드 타임

46 Weeks
다이오드 유형

Standard
상세 설명

Diode Standard 150V 6A Surface Mount
전류 - 누설 Vr에서 역방향

5µA @ 150V
전류 - 평균 정류 (Io)

6A
VR, F @ 용량

60pF @ 5V, 1MHz

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기술: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

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기술: RECTIFIER DIODE

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기술: RECTIFIER DIODE

제조업체: Microsemi

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기술: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi

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기술: RECTIFIER DIODE

제조업체: Microsemi

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기술: RECTIFIER DIODE

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기술: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

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기술: DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

제조업체: Microsemi

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1N5809US

기술: DIODE GEN PURP 100V 6A

제조업체: Semtech

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기술: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

제조업체: Semtech

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기술: DIODE GEN PURP 100V 6A

제조업체: Semtech

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기술: RECTIFIER DIODE

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기술: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

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기술: RECTIFIER DIODE

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기술: RECTIFIER DIODE

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기술: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

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기술: RECTIFIER DIODE

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