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1N6642

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  • 제품 모델
    1N6642
  • 제조업체 / 브랜드
    Semtech
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    1N6642.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    800mV @ 10mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    75V
  • 제조업체 장치 패키지
    Axial
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    5ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    Axial
  • 작동 온도 - 정션
    -
  • 실장 형
    Through Hole
  • 제조업체 표준 리드 타임
    50 Weeks
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 75V 300mA Through Hole Axial
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    500nA @ 75V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    300mA
  • VR, F @ 용량
    -

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1N6638US

기술: DIODE GEN PURPOSE

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1N6637

1N6637

기술: DIODE ZENER 5.1V 5W AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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1N6642UBCA

1N6642UBCA

기술: DIODE GEN PURPOSE

제조업체: Microsemi
유품
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1N6642US

기술: .3A ULTRA FAST 100V

제조업체: Semtech
유품
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1N6636US

1N6636US

기술: DIODE ZENER 4.7V 5W D5B

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N6638US

1N6638US

기술: .3A ULTRA FAST 115V

제조업체: Semtech
유품
RFQ
1N6640US

1N6640US

기술: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N6643

1N6643

기술: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

제조업체: Semtech
유품
RFQ
1N6642UBCC

1N6642UBCC

기술: DIODE GEN PURPOSE

제조업체: Microsemi
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1N6643US

기술: .3A ULTRA FAST 75V

제조업체: Semtech
유품
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1N6641US

1N6641US

기술: DIODE GEN PURPOSE

제조업체: Microsemi
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1N6642UB2

1N6642UB2

기술: DIODE GEN PURPOSE

제조업체: Microsemi
유품
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1N6641

1N6641

기술: DIODE GEN PURPOSE

제조업체: Microsemi
유품
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1N6639US

1N6639US

기술: DIODE GEN PURPOSE

제조업체: Microsemi
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RFQ
1N6643US

1N6643US

기술: DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B

제조업체: Microsemi
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1N6642UB2R

1N6642UB2R

기술: DIODE GEN PURPOSE

제조업체: Microsemi
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기술: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

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기술: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

제조업체: Microsemi
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1N6638

기술: DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIAL

제조업체: Semtech
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1N6637US

기술: DIODE ZENER 5.1V 5W D5B

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